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深圳市夢啟半導體裝備有限公司

晶圓拋光機廠家
晶圓拋光機廠家

半導體芯片減薄工藝流程

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發布時間 : 2024-10-25 09:03:08

       半導體芯片減薄工藝流程主要包括以下步驟:

       一、半導體芯片前期準備

       1、晶圓選擇:根據生產要求和成本考慮,選擇經過初步清洗和檢驗合格的單晶硅圓盤作為原始晶圓。

       2、臨時鍵合(針對易碎或硬度較低的晶圓材料,如InP):為防止晶圓在研磨過程中碎裂,會先用中間介質(如固態蠟)將晶圓臨時鍵合到較厚的載體基片上,為其提供結構支撐。這一步驟完成后,露出晶圓的背面以待完成減薄或其他背面工藝。


減薄機650.jpg

       二、半導體芯片研磨減薄

       3、固定晶圓:將晶圓(已臨時鍵合的晶圓整體)固定在研磨機的研磨盤上,確保晶圓在研磨過程中保持穩定。

       4、研磨參數設置:根據晶圓材料和厚度,選擇合適的研磨輪(如金剛石砂輪、綠碳化硅砂輪等),并調整加載壓力、轉速、進給速度等參數,以控制研磨量和表面粗糙度。

       研磨操作:啟動研磨機,使晶圓與研磨輪接觸并進行研磨。研磨過程通常包括粗磨、精磨兩個階段,以逐步去除晶圓背面的材料并達到所需的厚度。


減薄前后對比650.jpg

       三、半導體芯片清洗與解鍵合

       1、清洗晶圓:研磨完成后,用去離子水或其他適用的清洗溶液清洗晶圓背面,以去除研磨殘留物和污染物。

       2、解鍵合:對于臨時鍵合的晶圓,將晶圓與基片鍵合對同時放入去蠟機中浸泡,用電爐加熱去蠟液融解蠟層,使薄晶圓從基片脫離成為獨立的芯片晶圓。


芯片清洗650.jpg


       四、半導體芯片拋光與平坦度測量

       1、拋光:為提高晶圓表面的光潔度和減薄效果的均勻性,可對晶圓進行拋光處理。拋光過程需要使用特殊的拋光機器和拋光布或砂紙等工具,并調整拋光壓力、轉速等參數。

       2、平坦度測量:對拋光后的晶圓進行平坦度測試,以確保其滿足后續加工過程中的精度要求。


芯片測量.jpg


       五、半導體芯片質量檢驗與封裝

       1、質量檢驗:通過各種檢驗手段(如表面平整度檢查、薄膜厚度測量等)對晶圓進行質量檢驗,以確保其完全符合制造標準和質量控制要求。

       2、封裝與測試:將合格的晶圓切割成芯片,并進行封裝和測試等后續工序。


芯片封裝600.jpg


       需要注意的是,在半導體芯片減薄工藝流程中,應嚴格控制各個環節的參數和操作條件,以避免對晶圓造成損傷或影響其性能。同時,根據不同的晶圓材料和厚度要求,可能需要采用不同的研磨輪、拋光劑和工藝參數。

        此外,隨著半導體技術的不斷發展,新的減薄工藝和設備也在不斷涌現。因此,在實際生產中,應根據具體情況選擇合適的工藝流程和設備,以提高生產效率和產品質量。


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